Рынок силовых полупроводников на основе SiC и GaN: оценка и прогноз развития

новость

По прогнозам аналитической компании Omdia, в 2021 году рынок силовых полупроводников на основе SiC (карбида кремния) и GaN (нитрида галлия) превысит $1 млрд, что обусловлено спросом на электромобили, блоки питания и фотоэлектрические преобразователи. Это означает, что блоки питания и преобразователи станут компактнее и легче, что обеспечит более длительный пробег как электромобилям, так и электронике.

Рынок силовых полупроводников на основе SiC и GaN: оценка и прогноз развития
По итогам текущего года, как прогнозируют в Omdia, рынок SiC- и GaN-элементов подорожает до $854 млн. Для сравнения, в 2018 году рынок «некремниевых» силовых полупроводников стоил $571 млн.

Тем самым за три года произойдёт почти двукратное увеличение стоимости рынка, что говорит о крайней потребности в данных компонентах.

Силовые полупроводники на основе карбида кремния и нитрида галлия позволяют выпускать диоды, транзисторы и микросхемы для блоков питания и преобразователей с высочайшим значением КПД для токов в широких пределах. Для увеличения дальности пробега электромобиля или для увеличения времени автономной работы смартфона нужны не только современные и ёмкие аккумуляторы, но также полупроводники, которые не теряют энергию на переходных процессах и на промежуточных цепях.

Ожидается, что до конца десятилетия выручка производителей SiC- и GaN-элементов каждый год будет увеличиваться на двухзначную величину, достигнув в 2029 году отметки на уровне $5 млрд.
 

Присоединяйтесь к нашему списку подписчиков, чтобы получать последние новости выставки и специальные предложения.