MOSFET Транзисторы (N-канальные и P-канальные)

Основные характеристики:
  • Собственное кристальное производство
  • Технологии изготовления: планарная, trench, с низким зарядом затвора, с диодом Зенера
  • Доступные диапазоны: напряжение от 30 до 1500В, сила тока от 1 до 100А
  • Вся продукция проходит стресс-тест на устойчивость к лавинному пробою
  • Низкое значение заряда затвора
  • Низкое значение входной емкости
  • Частота переключения до 100 кГц
  • Легкость параллельного включения
  • Низкое сопротивление Rds(on)
  • Доступные корпуса: ТО-220, ТО-247, ТО-251, ТО-252, ТО-263
Наименование компании: АНГСТРЕМ, АО
Показать стенд B257 на плане →