Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT)

Основные характеристики:
  • Широкий диапазон линейки: напряжение от 600В до 6500В, сила тока от 15А до 150А
  • Собственное кристальное производство
  • Варианты исполнения: модули, дискретные транзисторы, кристаллы
  • Собственная технология NPT+, обеспечивает повышенную надежность и низкие потери энергии
  • Устойчивость к короткому замыканию - до 50 микросекунд
  • Модули выпускаются в конфигурациях: полумост, нижний и верхний чоппер, с общим эмиттером
  • Модули доступны в корпусах MPP-34 (34 мм), MPP-62 и MPP-62-2 (62 мм)
  • Дискретные транзисторы выпускаются в корпусах ТО-220, ТО-247, SOT-227, TO-251, TO-252
  • Мягкое, быстрое восстановление диода
  • Низкое прямое падение напряжения на диоде
Наименование компании: АНГСТРЕМ, АО
Показать стенд B257 на плане →